记得我和几个兄弟围在电视前看他比赛，那个紧张劲儿，简直像盼着过年一样迪士尼彩乐园852852，心里只想：“这小子能不能再给我点惊喜？”
当然巴特勒目前还没有回归，锋线位置还是缺乏一定的优势。目前的热火队打法更加保守一些，他们需要加强阵地战的部署，这是属于他们的比赛节奏。
东谈主工智能的崛起迫使数据中心的处理材干快速增长。如图1所示，英飞凌掂量，单个GPU的功耗将在2030年前呈指数级上涨，达到约2000瓦，而AI就业器机架的功率峰值将达到惊东谈主的300千瓦以上。这条件数据中神思架的交流和直发配电系统进行新的架构变更，要点是减少从电网到中枢的迁徙和配电功消费失。图2(右)展示了灵通计较姿色(OCP)机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电，并容纳多个电源单位(PSU);每个PSU由单相输入供电。机架向汇流排输出直流电压(举例50伏)，该汇流排还畅达到IT和电板架。东谈主工智能趋势条件电源单位的电源演变，如图2(左)所示。接下来，咱们将一一先容这些PSU世代的现实拓扑及设立时期忽视。东谈主工智能就业器机架电源单位的趋势与电源演变第一代东谈主工智能PSU：在磋商架构下功率增多，约5.5–8千瓦，50伏输出，277伏交流，单至极前的AI就业器电源单位大多撤职ORv3-HPR圭臬。在此圭臬中，大大齐要领，包括输入和输出电压及后果，与前一代ORv33千瓦规格比较莫得变化。干系词，它更新了与AI就业器需求有关的要领，举例更高的功率和峰值功率条件(后头会描写)以及由于与BBU架的通讯修改而导致的输出电压治疗界限更窄。如图2所示，尽管每个电源架由三相输入(400–480伏交流)供电，干系词每个PSU的输入为单相(230–277伏交流)。图3展示了第一代PSU温顺ORv3-HPR规格的现实示例：PFC阶段不错是两个交错的塔式电流源，使用CoolSiC MOSFETs 650伏看成快速歧路，同期使用600伏的CoolMOS SJ MOSFETs看成慢歧路。DC-DC阶段不错是一个全桥LLC，使用CoolGaN晶体管650伏，而次级全桥整流器和ORing使用OptiMOS功率MOSFETs 80伏。此外，这个示例中还展示了中间阶段，称为“保握时分蔓延”或“婴儿擢升”，其功能是减少电解电容的体积。它由一个擢升迁徙器构成，用于在电源线周期掉电事件中开释储能电容的能量，以治疗LLC输入电压。在平常运行时期，这个擢升迁徙器处于非职责情状，并通过一个低欧姆的600伏CoolMOS SJ MOSFET旁路。图1图1a图2图3图4第二代东谈主工智能PSU提高暴露电压以达到约8–12千瓦的更高功率，50伏输出，277–347伏交流，单相。跟着机架功率增多到超越300千瓦，电源架的密度变得至关进攻。因此迪士尼彩乐园852852，下一代的电源单位将采选单相架构，功率达到8千瓦以至12千瓦。由于每个机架的功率更高，数据中心中的机架数目可能在某些情况下受到配电电流额定值和损耗的限制。因此，为了减少交发配电电流和损耗，一些数据中心可能会将机架的交发配电电压从400/480伏提高到600伏交流(三级)，而PSU的输入电压则从230/277伏提高到347伏(单相)。天然这一变化不错使数据中心的运营和应用率受益，但也可能影响PSU的电压额定值和规划。在347伏交流输入下，PFC输出必须设立为约575伏直流，这意味着650伏器件的电压额定值不及。图4展示了一个示例达成：第一代PSU中议论的两级塔式PFC不错被一个三级遨游电容塔式PFC(3-L FCTP PFC)阶段替代，使用CoolSiC MOSFETs 400伏。多级电源迁徙的倡导允许使用电压额定较低的开关来赞助更高的输入电压。3-L FCTP PFC由于多级拓扑的频率倍增效应，提供了更高的后果和功率密度上风。最进攻的是，迪士尼彩乐园852852优化CoolSiC时期以裁减400伏的击穿电压，导致其与CoolSiC 650伏和750伏参考器件比较，发扬出色的优选方向(FoM)，如图5(左)所示。此外，图5(右)展示了在不同温度界限内导通电阻的变化，显现CoolSiC MOSFET 400伏在100°C时的RDS(on)仅比25°C时跳动11%。这种平坦的RDS(on)与Tj特质，使CoolSiC MOSFETs省略具有更高的RDS(on)典型值，从而达成更好的老本和开关性能。图5a图5b三级LLC拓扑是DC-DC阶段的致密选拔，使用CoolSiC MOSFETs 750伏看成低级开关，OptiMOS 5功率MOSFETs 80伏看成次级全桥整流器和ORing。这种责罚决策省略提供更高的功率，因为第三个半桥开关歧路不错达成输出电流纹波摒除和自动电流分享，由于三者之间的固有耦合。第三代东谈主工智能PSU三级架构和400伏配电以达成约22千瓦的更高功率，400伏输出，480–600伏交流三相。为了进一步增多机架功率，第三代东谈主工智能PSU将具有更具颠覆性的机架架构，如下所示：· PSU输入从单相变更为三相，以提高密度和裁减老本;· 电源架PSU输出电压从50伏提高到400伏，以减少汇流排电流、损耗和老本。图6展示了一个三相输入和400伏输出PSU的示例现实，保举使用的器件和时期。PFC阶段是维也纳变换器，这是一种流行的三相PFC应用拓扑。其主要优点是允许使用650伏器件，因为它采选了辞别总线电压，使用两倍数目的反向CoolSiC MOSFETs 650伏和CoolSiC 1200伏二极管。由于PFC输出是辞别电容，每个电容电压为430伏，并为全桥LLC迁徙器提供CoolGaN晶体管650伏的低级和次级。两个LLC阶段在低级侧串联畅达，在次级侧并联畅达，以供电400伏汇流排。图6另外，两个反向CoolSiC MOSFETs 650伏不错被CoolGaN双向开关(BDS)650伏替代，这是一种的确的常闭单片双向开关。这意味着单个CoolGaN BDS不错替代四个冲破功率开关，从而在雷同的RDS(on)下达成更高的芯片应用后果。宽禁带(WBG)器件对东谈主工智能PSU的上风宽禁带(WBG)半导体，举例CoolGaN，成为东谈主工智能PSU的最好选拔，因为它们在更高的开关频率下提供最好后果，使得在不耗损迁徙后果的情况下达成更高功率密度的迁徙器。除了东谈主工智能PSU显耀的额定功率增长外，GPU的峰值功率也随之增多，何况产生高负载瞬态，如图7所示。因此，DC-DC阶段的输出必须实足动态，同期电压的过冲和欠冲必须保握在规定界限内。通过提高开关频率不错增强DC-DC阶段的输迁徙态，从而增多适度环路的带宽。图7由于其优胜的FoM和在Si、SiC和GaN器件中最低的开关损耗，CoolGaN器件豪恣温顺更高开关频率的条件。至极是在软开关LLC迁徙器中，CoolGaN具有最低的输出电容充电量(Qoss)，这在更容易达成零电压开关(ZVS)方面起着进攻作用。随后，这使得更精准的死区时分设立成为可能，从而摒除不消要的死区导通损耗。三级遨游电容塔式PFC使用CoolSiC MOSFETs 400伏的三级遨游电容塔式PFC(3-L FCTP PFC)不仅允许更高的交流输入电压，如第2.2节所述，而且由于与CoolSiC 650伏和750伏参考器件比较，提供更高的密度和后果上风，具有优秀的优选方向(FoM)。优化的电感规划(尺寸、材料和绕制)以及在3L拓扑中选拔低开关损耗的RDS(on)有助于达成平坦的后果弧线，峰值后果超越99.3%，全负载后果超越99.15%，如图8所示。图8追忆温顺数据中心中AI应用需求的新时期部署竞争还是驱动，导致机架和PSU功率需求激增。AI PSU的功率需求正从3-5.5千瓦增长到8-12千瓦的单相和高达22千瓦的三相。这一需求使得数据中心运营商在优化数据中心空间和可用电力的后果和应用率方面濒临挑战。应付这些挑战促使新的机架架构和AC-DC配电配置的出现，使基于CoolSiC和CoolGaN的规划在PSU规划中处于最好后果和功率密度的前沿。